MOS集積回路の設計・製造と信頼性技術

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  • サイズ A5判/ページ数 189p/高さ 22cm
  • 商品コード 9784627773813
  • NDC分類 549.7
  • Cコード C3055

内容説明

設計、製造、信頼性MOSに必要な三つの技術を詳しく解説。FDMを活用する半導体に係わる全ての人に!第一線技術者の声も多く取り入れた、実用的な一冊。

目次

第1章 集積回路の現状と課題(半導体市場と技術動向;設計と信頼性技術の現状 ほか)
第2章 集積回路の基礎(半導体の種類;Si半導体 ほか)
第3章 MOS集積回路の構成と設計技術(ディジタル回路;アナログ回路 ほか)
第4章 MOS集積回路の製造技術(製造環境;洗浄技術 ほか)
第5章 MOS集積回路の信頼性技術(半導体デバイスの信頼性;半導体デバイスの信頼性評価 ほか)

著者等紹介

大山英典[オオヤマヒデノリ]
1982年豊橋技術科学大学修士課程修了。1991年熊本電波高専助教授、工学博士。1992年文部科学省(旧文部省)長期在外研究員(IMEC、ベルギー)。1993年IMEC客員研究員。2000年熊本電波高専教授。専門分野は半導体デバイスの放射線損傷機構

中林正和[ナカバヤシマサカズ]
1980年大阪府立大学修士課程修了。1980年三菱電機(株)入社。2002年熊本大学大学院自然科学研究科博士課程修了、博士(工学)。2003年(株)ルネサステクノロジ。専門分野は半導体の信頼性、パワーデバイスのライフタイム制御

葉山清輝[ハヤマキヨテル]
1991年豊橋技術科学大学修士課程修了。1992年豊橋技術科学大学技術開発センター助手。1997年博士(工学)。2000年熊本電波高専助教授。2003年文部科学省長期在外研究員(IMEC、ベルギー)。2007年熊本電波高専准教授。専門分野は半導体デバイスの放射線損傷機構

江口啓[エグチケイ]
1999年熊本大学大学院自然科学研究科博士課程修了、博士(工学)。1999年熊本電波高専講師。2001年熊本電波高専助教授。2006年静岡大学助教授。2007年静岡大学准教授。専門分野は回路システム(本データはこの書籍が刊行された当時に掲載されていたものです)
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