ICNS-4, 2 Vols. : Proceedings of The Fourth International Conference on Nitride Semiconductors （2002. XX, XIV, 916, 640 p. w. numerous figs. (some col.). 25 cm）

ICNS-4, 2 Vols. : Proceedings of The Fourth International Conference on Nitride Semiconductors （2002. XX, XIV, 916, 640 p. w. numerous figs. (some col.). 25 cm）

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  • 製本 Hardcover:ハードカバー版／ページ数 1,600 p.
  • 商品コード 9783527403479

Description


(Short description)
Diese Tagungsbeiträge der 4. Internationalen Konferenz über Nitrid-Halbleiter (ICNS) 2001 in Denver, Colorado, decken alle aktuellen Aspekte der Nitrid-Halbleiter-Systeme ab. Die Beiträge stellen wissenschaftliche und technische Entwicklungen, die mit diesen Materialien verbunden sind, sowie ihre Weiterverarbeitung und Bauteile vor.

(Text)
Diese Tagungsbeiträge der 4. Internationalen Konferenz über Nitrid-Halbleiter (ICNS-4) stellen die neuesten Fortschritte auf dem Gebiet der Nitrid-Halbleiter-Systeme und verwandter Materialien vor. Wissenschaftler präsentieren aktuelle Ergebnisse aller Aspekte der Nitrid-Halbleiter-Systeme, die Verbindungen wie AlInGaN, GaNAsP, AlSiCN und andere Materialien einschließen, die Stickstoff als einen ihrer Hauptbestandteile enthalten. Die Beiträge stellen wissenschaftliche und technische Entwicklungen, die mit diesen Materialien verbunden sind, sowie ihre Weiterverarbeitung und Bauteile vor.
Die ICNS-4 wurde 2001 in Denver, Colorado abgehalten und folgt den Tagungen ICNS-1 in Boston und Nagoya (1995), ICNS-2 in Tokushima, Japan und ICNS-3 in Montepellier, Frankreich (1999).
Themenbereiche:
- Herstellung (Substrate, Zwischenprodukte, Bulk-Kristalle, Wachstum, Dotierung, Heterostrukturen, Rekristallisierung, Legierungen)
- Grundlagenforschung (Bandstruktur, Modelle für physikalische Eigenschaften, Quantisierungseffekte, Deformationseffekte, Oberflächeneigenschaften)
- Charakterisierung (Bestimmung von Struktureigenschaften sowie elektrischer und optischer Eigenschaften usw.)
- Weiterverarbeitung (Ätzen (trocken/nass), Schneiden, hoch reflektierende Beschichtungen, Ohmsche Kontakte, Schottky-Kontakte)
- Bauteile (Optoelektronik, Hochleistungs- und Hochtemperatur-Anwendungen)

(Table of content)
From the Contents:
- Synthesis (substrates, precursors, bulk crystals, epitaxy, doping, heterostructures, regrowht, alloys)
- Fundamental Science (band structure, modeling of physical properties, quantum size effect, strain effect, surface phenomena)
- Characterization (determination of the structural, electrical, optical, etc. properties)
- Processing (etching (dry, wet), cleaving, high reflection coatings, ohmic, contacts, Schottky contacts)
- Devices (optoelectronics, high power, and high temperature, applications)