The Insulated Gate Bipolar Transistor Igbt : Theory and Design (Ieee Press Series on Microelectronic Systems)

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The Insulated Gate Bipolar Transistor Igbt : Theory and Design (Ieee Press Series on Microelectronic Systems)

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  • 製本 Hardcover:ハードカバー版／ページ数 568 p.
  • 言語 ENG
  • 商品コード 9780471238454
  • DDC分類 621.3815282

Full Description

A comprehensive and "state-of-the-art" coverage of the design and fabrication of IGBT.

All-in-one resource
Explains the fundamentals of MOS and bipolar physics.
Covers IGBT operation, device and process design, power modules, and new IGBT structures.

Contents

Preface. Power Device Evolution and the Advert of IGBT.

IGBT Fundamentals and Status Review.

MOS Components of IGBT.

Bipolar Components of IGBT.

Physics and Modeling of IGBT.

Latch-Up of Parasitic Thyristor in IGBT.

Design Considerations of IGBT Unit Cell.

IGBT Process Design and Fabrication Technology.

Power IGBT Modules.

Novel IGBT Design Concepts, Structural Innovations, and Emerging Technologies.

IGBT Circuit Applications.

Index.