内容説明
本書はシリコンを中心としたＬＳＩシリーズとは別に、第２３巻以来、化合物半導体を取り上げてきたが、その第９巻目にあたる。今回も、原理を重視しながら、同時に生産の最前線の課題を取り上げ、完全結晶への道を求めようというのが本巻の目的である。
目次
１ 化合物半導体結晶のＶＣＺ成長
２ フォトキャパシタンス法による化合物半導体結晶の評価
３ 陽電子線による化合物半導体中の点欠陥評価
４ ＡｌＧａＩｎＰ結晶の評価と応用
５ 結合量子井戸構造の電界吸収特性とその応用
６ 半導体ヘテロ接合での超高速トンネリングと光非線形材料への応用
７ ＳｉＣの結晶成長と青色発光ダイオード
８ ＧａＡｓＩＣのアイソレーション特性
９ 光情報処理用面入出力光電融合素子
