出版社内容情報
センサ，素子，セラミックスなど，さまざまなデバイスに応用可能な強誘電体を系統的に理解できる一冊．実用的な立場からデバイスの設計・開発，薄膜・厚膜デバイスと材料への応用方法をまとめている．さらにデバイス開発に対する著者の哲学も織り交ぜている．各章とも例題とその解答を充実させ，初学者の理解を助けている．
■目次 強誘電体の一般論／強誘電体の数学的取り扱い／材料およびデバイス設計と製造プロセス／高誘電率誘電体／強誘電体メモリデバイス／焦電デバイス／圧電デバイス／電気光学デバイス／PTC材料／複合材料／強誘電体デバイスの将来
目次
必要な予備知識
強誘電体の一般論
強誘電体の数学的取り扱い
材料およびデバイス設計と製造プロセス
高誘電率誘電体
強誘電体メモリデバイス
焦電デバイス
圧電デバイス
電気光学デバイス
ＰＴＣ材料
複合材料
強誘電体デバイスの将来
著者等紹介
内野研二［ウチノケンジ］
１９５０年東京都に生まれる。１９７５年東京工業大学理工学研究科電子物理工学専攻修了。１９７６年東京工業大学工学部助手。１９７８年米国ペンシルベニア州立大学材質研究所研究員。１９８５年上智大学理工学部物理学科助教授。１９９１年米国ペンシルベニア州立大学工学部電気工学科教授。１９９２年同大学国際アクチュエータ・トランスデューサ研究所所長兼任。２００４年マイクロメカトロニクス社（米国）上級副社長兼職。工学博士。その間、宇宙開発事業団（ＮＡＳＤＡ）スペースシャトル利用委員会専門委員、東京セーバー電子株式会社監査役、ＮＦ回路設計ブロックシステム技術研究所副所長、ＮＦ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ、ＵＳＡ副社長、通商産業省（現経済産業省）外郭日本工業技術振興協会固体アクチュエータ研究部会（現スマートアクチュエータ／センサ委員会）委員長を歴任
石井孝明［イシイタカアキ］
１９６４年千葉県に生まれる。１９９０年上智大学大学院理工学研究科物理学専攻修了。１９９０年アルプス電気株式会社（日本）入社。１９９４年東京工業大学精密工学研究所助手。２００２年山梨大学工学部機械システム工学科助手。２００３年山梨大学大学院医学工学総合研究部工学学域助手。博士（工学）
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つかさちゃん
