目次
総論
第１部 基礎（誘電体；強誘電体；電子的性質と量子効果 ほか）
第２部 技術と分析（薄膜堆積法；露光法；材料除去技術―エッチングと化学機械研磨 ほか）
第３部 論理デバイス（シリコンＭＯＳＦＥＴ―新材料と新概念；強誘電体電界効果トランジスタ；共鳴トンネリングに基づく量子輸送デバイス ほか）
著者等紹介
バサー，ライナー［バサー，ライナー］［Ｗａｓｅｒ，Ｒａｉｎｅｒ］
アーヘン大学ＲＷＴＨ電気工学情報技術学部教授とＨｅｌｍｈｏｌｔｚ研究財団（ＨＧＦ）ユーリッヒ研究センタ固体研究所所長を兼任している。１９８４年にダルムシュタット大学より物理化学においてＰｈＤ学位を取得し、アーヘンのＰｈｉｌｉｐｓ研究所で研究に従事した。１９９２年に教授に任命され、電子材料の基礎的側面と、強誘電性メモリのような不揮発性メモリ、論理デバイス、センサとアクチュエータのような集積デバイスを中心に研究を行っている。これら研究を通じてヨーロッパ、米国、および極東の主要半導体企業と交流を図っている。国際会議開催や、約２００編の技術論文発表を行い、１０件の特許を所有している。２００２年以来、Ｈｅｌｍｈｏｌｔｚ研究財団ドイツ研究センタにおいて、ナノエレクトロニクス研究プログラムを推進している
木村達也［キムラタツヤ］
東京大学大学院工学系研究科を修了、工学博士の学位を取得、ＮＴＴ研究所において光伝送方式、光ファイバ、各種光部品に関する基礎研究を進めるとともに、長波長帯光ファイバ伝送、コヒーレント光ファイバ伝送、光増幅中継等の先端的光ファイバ通信を提唱した。その後、材料物性および情報科学の基礎研究マネジメントに従事して、量子光学、ナノサイエンス、情報科学の研究を推進し、ＮＴＴ理事・基礎研究所長、ＮＥＣ支配人を歴任。現在ＮＴＴアドバンステクノロジーシニアアドバイザを務める。ＩＥＥＥライフフェロー、ＩＥＩＣＥフェロー、ＯＳＡ名誉会員（本データはこの書籍が刊行された当時に掲載されていたものです）
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