半導体の高次元化技術―貫通電極による3D/2.5D/2.1D実装

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半導体の高次元化技術―貫通電極による3D/2.5D/2.1D実装

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  • サイズ A5判/ページ数 144p/高さ 21cm
  • 商品コード 9784501330903
  • NDC分類 549.8
  • Cコード C3055

目次

第1章 TSV技術の開発
第2章 TSVの作成プロセス
第3章 TSVチップの3D積層技術
第4章 TSVを使ったワイドIOメモリシステム
第5章 2.5D TSVチップ積層構造
第6章 TSV‐3Dメモリシステムの開発
第7章 新インターポーザと2.1Dデバイス
第8章 3D用マイクロバンプ、チップフィル、実装材料
第9章 TSV関連の技術開発

著者等紹介

傳田精一[デンダセイイチ]
工学博士。信州大学工学部卒業。通産省電気試験所主任研究官、サンケン電気常務取締役、コニカ常務取締役、エレクトロニクス実装学会名誉顧問、長野県工科短大客員教授、長野実装フォーラム名誉理事(本データはこの書籍が刊行された当時に掲載されていたものです)
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感想・レビュー

※以下の感想・レビューは、株式会社ブックウォーカーの提供する「読書メーター」によるものです。

ひろき@巨人の肩

10
最新の半導体実装プロセスの技術動向をTSVを中心に網羅した本。Via形成タイミングによるTSVプロセスの分類。3D/2.5D/2.1Dの定義とインターポーザー。技術アウトプットとしてのDRAMのワイドIOと対抗のDDR。先端実装の全体感は把握できたと思う。2017/01/05

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