出版社内容情報
【解説】
【目次】
超LSIレジストの要件・オルソジアゾナフトキノン系フォトレジストの分子設計・ネガ型レジストの分子設計・高感度化の分子設計・ドライ現象のためのレジストの分子設計・解像力向上技術他
目次
序章 なぜ、レジストの研究をするのか?
第1章 超LSIレジストの要件
第2章 オルソジアゾナフトキノン系フォトレジストの分子設計
第3章 ネガ型レジストの分子設計
第4章 高感度化の分子設計
第5章 ドライ現象のためのレジストの分子設計
第6章 解像力向上技術
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超LSIレジストの要件・オルソジアゾナフトキノン系フォトレジストの分子設計・ネガ型レジストの分子設計・高感度化の分子設計・ドライ現象のためのレジストの分子設計・解像力向上技術他
序章 なぜ、レジストの研究をするのか?
第1章 超LSIレジストの要件
第2章 オルソジアゾナフトキノン系フォトレジストの分子設計
第3章 ネガ型レジストの分子設計
第4章 高感度化の分子設計
第5章 ドライ現象のためのレジストの分子設計
第6章 解像力向上技術
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和彦有住
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