表面・薄膜分子設計シリーズ
超LSIレジストの分子設計

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  • サイズ B6判/ページ数 117p/高さ 19X13cm
  • 商品コード 9784320085114
  • NDC分類 549.7
  • Cコード C3355

出版社内容情報

【解説】
 

【目次】
超LSIレジストの要件・オルソジアゾナフトキノン系フォトレジストの分子設計・ネガ型レジストの分子設計・高感度化の分子設計・ドライ現象のためのレジストの分子設計・解像力向上技術他

目次

序章 なぜ、レジストの研究をするのか?
第1章 超LSIレジストの要件
第2章 オルソジアゾナフトキノン系フォトレジストの分子設計
第3章 ネガ型レジストの分子設計
第4章 高感度化の分子設計
第5章 ドライ現象のためのレジストの分子設計
第6章 解像力向上技術

感想・レビュー

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和彦有住

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電子化済み2020/06/06

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